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层错能测定方法有很多[2,3], 分为实验方法和理论计算方法，实验方法有加工硬化法、孪晶的临界切应力法、低温蠕变、电子显微镜扩展位错结点等。由于不同的实验测量方法得到的结果相互间差异较大，并工作量很大，所以从理论的角度或者利用原子层次的模拟计算来研究金属的层错能和固溶合金对层错能的影响[4]十分有必要，以便从微观的角度来研究层错能与材料的微观结构及原子间的相互作用的关系，对层错形成做出较为合理的解释。20世纪末，计算机水平的高速发展，为层错能的理论准确计算提供了可能[5]。现阶段主要有两种理论计算方式用于研究层错能，一种是嵌入原子法(EAM)[6，7],另一种是基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理研究。22766
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经过Manninen[8], Jacobsen[9], Johnson[10]的发展，嵌入原子法使用业已十分广泛，解决了点缺陷、位错、层错、表面、界面和团簇等方面的问题。张建民等[11]用EAM法计算了常见fcc金属Cu、Ag、Au、Ni、Al的层错能,而戎咏华[4]等则更进一步计算了 Fe-Mn 二元合金的层错能，且计算出的结果与实验值吻合度很高。EAM法计算过程简单方便且精度较高，但其缺点是准确性很大程度上依赖于所选取的模型,并且通过不同模型计算出的数值之间差别较大。论文网
另外一种常用来计算层错能的方法是第一性原理。通过第一性原理Kontsevoi[12]等研究了电子在位错周围的分布问题,清华大学的YanJia一An[13]采用局域密度近似(LDA),广义梯度近似(GGA),局域自旋密度近似(LSDA)以及广义自旋梯度近似(SGGA)研究了Fe沿不同方向的梯度近似。Wu等[14]采用第一性原理计算了Cu, Ag, Au和Ni等一系列fcc晶体结构的层错能，Wu等[15]研究了广义层错能对A13Sc和Al3Mg的延展性的影响并均取得了不错的结果。
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