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6. 最后对介质基片厚度为0.05mm，0.1mm,0.2mm依次增加到1mm的HMSIW进行侧壁泄露分析。利用电场的边缘效应来解释介质基片厚度对侧壁能量泄露的影响。
7. 对本文的欠缺进行分析。
8. 结论。针对整个研究过程作总结。
9. 致谢和参考文献。
2 基片集成波导
2.1 基片集成波导SIW结构文献综述
图1描述了基片集成波导几何结构，图中介质基片的上下表面均为金属化层，在介质基片中相隔一定距离制作两排金属化通孔（或者金属柱），在上下金属面和两排金属化孔之间就形成了一个类矩形波导的结构，称作基片集成波导（Substrate Integrated Waveguide : SIW)。此外，利用多层印刷电路板（PCB）技术和低温共烧陶瓷(LTCC)技术也可以形成多层基片集成波导结构。这些结构和相应的传统矩形金属波导结构比较类似。介质基片的上下金属面可以看成是相应矩形波导的上下波导壁，两排金属通孔构成了传统矩形金属波导的两个金属侧壁。当电磁波在两排金属通孔中传输时，它的传输特性和波在传统矩形金属波导中的传输特性相类似。在图1中，w表示两排金属通孔的圆心之间的距离，称作基片集成波导的宽度，d表示金属通孔的直径，h是介质摹片的厚度，而s为金属化孔的距离。
图表 1 基片集成波导的结构
2.2 基片集成波导的分析方法
2.2.1 等效模型法
目前，分析基片集成波导结构的方法主要有全波分析法、等效模型法和商业电磁软件仿真等，本文中将High Frequency Structure Simulator(HFSS)对基片集成波导进行建模和仿真分析。
由于基片集成波导具有和传统矩形金属波导相类似的传输特性，所以可以在传统的矩形金属波导和基片集成波导之间建立相对应的关系，将基片集成波导器件的设计转化为传统矩形金属波导器件的设计，从而大大减少设计时闻和问题的复杂度。