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1.2 限幅器的发展趋势 微波限幅器经历了比较成熟的发展，毫米波限幅器的多数研究是基于微波限幅器的不断改进与发展。早期的微波限幅器有多种类型，如:气体放电管限幅器、铁氧体限幅器、体效应限幅器以及现在普遍采用的固态器件限幅器。在毫米波频段，因为尺寸、重量以及调谐的原因，前面几种类型都没有被采用，以固态器件PIN二极管类型的限幅器占据着主导地位。限幅器的构成既有波导加载基片电路形式的，也有波导中直接并联二极管形式的，还有单片形式的。 1983 年，美国的 A. Armstrong制作了工作在 W频段，带宽为3GHz 的限幅器，采用的方式是在高电阻率硅片上面蚀刻、填充，形成 PIN管阵列。最后将此硅片夹在波导正中，利用外加电源的形式构成有源高功率限幅器。零偏压时，有 1.5dB的插损，400mA偏压时有 26dB的隔离，偏压电流每增加一倍，隔离度增加 3dB。 1988 年，美国的 DAV工D J SEYMOUR, DAVID D.HESTON首次报道单片 GaAs PIN管电路应用于雷达接收机。在保持输入驻波比为 1.5的条件下在Ka 波段有20dB的可变衰减。零偏压条件下在 36.5GHz可以达到 1.4dB的插损源]自=751-·论~文"网·www.751com.cn/ 。 1995 年，俄罗斯的 I.V.Lebedev, A.S.Shnjtnikov 制作了基于双谐振阵列的Ka 频段限幅器。对于 3W 的 1ms 脉冲能达到 21dB 的限幅和 1.0dB 的插损。功率门限值25mW。 2005 年俄罗斯的 Kirillov A.V., Smimov V.A., Romanov L.P.研制了全频段限幅器，能够在100W脉冲功率输入下，泄漏功率小于 20mW 。 目前，国内尚无 8mm波段限幅器的研究成果，在 L, S, C, X, Ku 等低频段的研究也为数不多。1998 年，固态电子学研究与进展以研究简报的方式报道了南京电子器件研究所的钟玮，丁玉霞研制的 1.18GHz的超宽带限幅器。插入损耗损小于 2dB，泄漏功率小于 30mWo 2004 年 970 厂任文贵研制的 X 波段高功率波导限幅器，在 9.35.9.75GHz，插损<0.9dB, VSWR< 1.2，限幅电平<7.5mW，连续波脉冲波的功率分别达到 50W和1000W。