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    (2)微测辐射热计。它是通过对IC-CMOS技术来沉积硅,氮化硅是由一个热敏电阻或α-硅材料Vox的好的电阻温度系数和高电阻率,微型桥制成结构组件(单片焦平面阵列)的支持。检测热辐射引起的热能改变的电阻,直流耦合无需粉碎机,只是一个热电冷却器来文持其恒定的工作的温度。90年代初,最早由霍尼韦尔公司研发,在研发要为8um〜14um运行的320×240非制冷FPA范围,从而做出了有益的热成像系统,宁波开发区已经进入了0.1K以内,预计在不久的将来到达0.02K。这样FPA90年代发展神速,成为热点。同热释电非制冷焦平面相比,利用Si集成技术,制造低造价的微光测辐射热计;良好的线性响应率与大动态范围;像素和弱串扰与图像模糊之间良好的绝缘性;低1 / f噪声;和高帧率与潜在的高灵敏度(噪声等效温差理论能够达0.01K)。与热释电相比,部分处置其功率功耗和高噪声带宽限制是不够的。
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