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    摘要伴随无线通信技术的发展，尤其是近十几年间移动通信用户规模的飞速扩大，射频通信系统得到了广泛的应用，与此同时，人们也对射频接收系统提出更高的要求。作为射频接收系统的最前端电路——低噪声放大器（LNA） ，其性能对整个接收系统有着至关重要的影响。因此如何设计出具有工作频带宽、噪声系数小、足够增益、输入输出匹配良好、稳定性好等特征的低噪声放大器显得尤为重要。 本文主要介绍了低噪声放大器的设计原理，参数指标，以及在 ADS 软件环境下，低噪声放大器的设计过程和性能优化方法。本次设计分别采用了双极性晶体管AT41511和高电子迁移率晶体管ATF54143， 设计频率范围为1950MHz～2050MHz，并着重介绍了两种管型下低噪声放大器的稳定性优化方法,最终设计都达到了预期目标。19270
     关键词  低噪声放大器  ADS 软件  噪声系数  输入匹配  稳定性
     Title    The  Simulation  Design  of RF Low Noise Amplifier
    Abstract
    With the development of wireless communication technology, especially
    in the last ten years, the scale of the mobile communication's users
    has been rapid expanded, so radio communication system has been widely
    used.  At the same time, higher requirements have been  put forward  on
    the RF receiver system.  The low noise amplifier  (LNA) is the front
    circuit of the RF receiving system, whose performance has a critical
    influence on the entire system. Therefore, how to design a low noise
    amplifier, which has a wide bandwidth, low noise, good input and output
    matching, good stability, is becoming more and more important.
    This paper mainly introduces the design principle and parameters of a
    low noise amplifier. We will use ADS software to design two low noise
    amplifiers and optimize their performance. A bipolar transistor AT41511
    and a high electron mobility transistor ATF54143 have been chosen, and
    the design frequency range is from 1950MHz to 2050MHz. After each design,
    some stability optimization methods are presented. Through simulation,
    the amplifier has achieved the anticipated target.
    Keywords      Low noise amplifier,  ADS software,  noise figure,  input matching, stability.
     目   录
     
    1  绪论 1
    1.1    低噪声放大器简介  1
    1.2   低噪声放大器的发展历史及研究现状  2
    1.3   本课题的主要工作及内容安排  3
    2  低噪声放大器的理论基础 4
    2.1   低噪声放大器的基本结构  4
    2.2   低噪声放大器的主要指标  4
    3   设计的前期准备工作 8
    3.1    ADS 软件及设计流程简介  8
    3.2   工作频段选择  8
    4   使用双极性晶体管设计低噪声放大器  10
    4.1   晶体管选择和设计指标的确定  10
    4.2  晶体管参数扫描和偏置电路设计  11
    4.3  输入输出匹配电路设计  17
    4.4   整体电路的优化  22
    4.5  最终版图的生成  25
    5   使用高电子迁移率晶体管设计低噪声放大器  27
    5.1   晶体管选择和设计指标的确定  27
    5.2  晶体管直流扫描和偏置电路设计  28
    5.3  输入输出匹配电路设计  31
    5.4   整体电路的优化  33
    5.5  最终版图的生成  35
    6   级联低噪声放大器的实现  37
    结论    40
    致谢    41
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