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1.4.2 本实验研究内容
利用磁控溅射技术在硅基底上依次沉积Ti、Al金属层，利用阳极氧化技术制备硅基氧化铝薄膜，并用延长氧化时间的方法来原位去除阻挡层；采用磷酸浸泡的方法来调节氧化铝薄膜孔径的大小和进一步去除残余的阻挡层。然后，再次利用磁控溅射技术在多孔氧化铝薄膜上镀一层铜，形成“嵌入式”纳米铜。
1.4.2 本实验研究内容
利用磁控溅射技术在硅基底上依次沉积Ti、Al金属层，利用阳极氧化技术制备硅基氧化铝薄膜，并用延长氧化时间的方法来原位去除阻挡层；采用磷酸浸泡的方法来调节氧化铝薄膜孔径的大小和进一步去除残余的阻挡层。然后，再次利用磁控溅射技术在多孔氧化铝薄膜上镀一层铜，形成“嵌入式”纳米铜。