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本实验样品为典型芯片三极管座SCB，并联的防护元件为：SFI0603-080C、SFI0603-120C、SFI0603-270C三种型号的压敏电阻，实验条件为47µF、22V（100%产生等离子体的最小电压）。
典型芯片SCB、并联SFI0603-080C压敏电阻的SCB、并联SFI0603-120C压敏电阻的SCB和并联SFI0603-270C压敏电阻的SCB四种样品各数发在此条件下进行发火，得到各自电压、电流动态变化曲线的实验数据，再将所得数据导入ORIGIN软件处理绘图（见图3.5-3.8）。
图3.5 典型SCB发火电流电压曲线
图3.6 并联SFI0603-080C压敏电阻SCB发火电压电流曲线
图3.7 并联SFI0603-120C压敏电阻SCB发火电压电流曲线
图3.8 并联SFI0603-270C压敏电阻SCB发火电压电流曲线
分析图3.6，并联的SFI0603-080C压敏电阻中有电流通过，因为此型号压敏电阻击穿电压为8V左右，所以在22V电压作用下有电流通过，符合预期估计结果。
分析图3.7，并联的SFI0603-120C压敏电阻中有电流通过，因为此型号的压敏电阻击穿电压在12V左右，因此在22V电压作用下被击穿，有电流通过，符合预期估计结果。
分析图3.8，并联的SFI0603-270C压敏电阻中几乎没有电流通过，也就是说将SFI0603-270C压敏电阻并联于SCB两端，由于它的击穿电压在27V左右，两边加载22V电压时压敏电阻不被击穿，在甚低频发火电路中等效于一个无限大的电阻，其所在的分路相当于断路，因此不会分走发火电流。对比图3.5电压电流曲线，SCB爆发时间及峰值点均无明显差异。
对所得实验数据分析处理，得到四种SCB爆发时间及发火能量，实验结果如下表所示：
表3.2 四种SCB电爆性能参数
类型 编号 T/µs E/mJ T均值/µs T偏差/µs E均值
/mJ E偏差/mJ
典型SCB并联SFI0603-080C压敏电阻
典型SCB并联SFI0603-120C压敏电阻
典型SCB并联SFI0603-270C压敏电阻 26
对比并联压敏电阻SCB和未并联压敏电阻SCB的电爆性能参数并进行t检验，发现并联三种压敏电阻均不会对SCB的电爆性能产生显著影响，结果见表3.9。
表3.3 并联几种压敏电阻对SCB电爆性能影响t检验结果
比较项 T/µs E/mJ
SCB与并联SFI0603-080C压敏电阻SCB t= 0.6044<2.145无显著差异 t=0.002434<2.145 无显著差异
SCB与并联SFI0603-120C压敏电阻SCB t=0.7011<2.145 无显著差异 t=0.1479<2.145 无显著差异
SCB与并联SFI0603-270C压敏电阻SCB t=0.5908<2.145无显著差异 t=0.8499<2.145 无显著差异
3.4 本章小结
由表3.3的t检验结果我们可以得出以下结论：
（1）并联SFI0603-080C压敏电阻前后典型芯片SCB的电爆性能并未发生显著性变化。
（2）并联SFI0603-120C压敏电阻前后典型芯片SCB的电爆性能并未发生显著性变化。
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