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    1.2.3 化学气相沉积法
    化学气相沉积法是一种可控，而且有效的制备石墨烯成品的方法，无需颗粒催化剂，即可用此法制备石墨烯，将平面衬底放在高温下，会产生分解的先制体气体之中，经过高温下退火，使碳原子沉积在衬底的表层上，形成石墨烯，再用化学分离的方法除去衬底。这样，即可得单独的石墨烯片。不同的衬底类型、成长温度、先制体流量等变化的数据，会引起石墨烯的成长速度、方式的不同，用这种方法能够成功制得单层或多层石墨烯，其面积可达到纸片大小，最大的优点就是可制备的石墨烯片面积较大[8]。

    1.2.4 电化学方法
    通过电化学方法，氧化石墨棒也可以制备石墨烯[9]。将两个质地优良的石墨棒，共向进入离子溶液中，在10-20 V的电压下，阳极石墨棒经过30 min，被腐蚀，正离子在阴极发生还原，生成游离基团，与跟石墨烯片里的π电子结合，生成特殊化的离子液体--石墨烯片，然后用无水C2H5OH洗涤，得到的深棕色沉淀，在60℃下，经过2 h干燥，就可得到完整石墨烯。这种方法简单，无需大量仪器试剂便能实现，缺点是制取的薄膜厚度较厚，电子转移率较低，检测不灵敏。

    1.2.5 电弧法
    石墨烯还可以通过电化学方法的制备，在文持高电流、特殊电压、H2气氛下，当两个石墨电极靠近，到一定程度时，会产生弧形闪电，在阴极附近可收集到碳纳米管，和多种不同的电极材料，而在反应釜的腔部区域，可得到所需产物。这极大概率是由于H2的存在，减少了碳纳米管或其它环形形态的碳形成。科学家通过电化学方法的过程，制备了3-5单原子层厚的石墨烯。

    1.2.6 外延生长法
        这种方法，一般都是通过不断加热751氢-碳化硅的独立单体表层，将表层的硅原子从物质上脱出，从而制备出石墨烯。一般先对751氢-碳化硅的独立单体表层，进行H2腐蚀或加氧去氢的预处理，在反应温度达到1000℃，并且抽成为真空的状态下，除去表层氧化物，通过电化学能谱，确认所得物质已经完全去除后，将样品再加热到1300—1400℃，并在恒温下放置15-25 min，这一步骤的温度，是决定所得到的生成物厚度的主要原因，用这种方法，能够制备出2-3层碳原子层厚度的石墨烯，不过，碳化硅晶体表层形状较为复杂的原因，加之实验条件苛刻，得到的产品表面不规则且容易破裂。科学家利用该方法，分别制备出了不同性质结构的产物，并且对其进行了优化。与通过物理分离法得到的石墨烯相比，使用这种方法制备的石墨烯，有较高的电流转移速度等一系列特性，但是，没有办法观测到物质的Hall效应。

    1.3 石墨烯的功能化
    大量的有氧结构，存在于氧化石墨烯的表层，这些带负电荷的基团使表层也带有缺点，电排斥力的存在可以使电子稳定地在水中分散。发生还原反应后，由于是整体进行的还原反应，石墨烯呈完整趋势，其表层化学活性很差，和其它介质，没有多少互相的影响，而且石墨烯片间的范德瓦尔斯力较强，容易聚集在一起，使它在常见有机试剂或水中难以分散，这给石墨烯进一步的研究，和大规模生产带来了较大的难题，所以对石墨烯进行改良，提高其导电能力和分离能力十分重要。导电能力就是通过共轭、非共轭，或者复合等一系列方法，使石墨烯的某些表层性质，发生一些改变，使其更容易研究并投入应生产。由于石墨烯含有如-COOH、-CO等部分有氧结构，因此碳纳米管的表层导电化方法[10-12]，一般来说，也适用于石墨烯的功能化。

    1.4 石墨烯在化学中的应用
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