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摘要在本文中我们提出了仿真研究为解决负载平衡问题在半导体，导体晶圆制造工厂的结果。在瓶颈区域的光刻步进电机，形成几个不同的子组。这些子组拥有不同的尺寸，例如，在掩模上的用于处理相关单个组的步进电机。它是在必要分发的地段，如周期时间最小化，在成品批次的数量和最大化日期的性能目标范围内，提出了一个仿真模型，就是晶圆厂光刻模型照片。透过此仿真模型，它可以决定释放时间，这样的话步进群处理在一定的地段产品当中是有利的。49809
一、简介
离散事件仿真是一种分析复杂的制造系统，用来制造在硅片上的集成电路（IC），这个是一种复杂的生产过程。250-500进程之间有50-120种不同类型的设备，这些步骤产生一个中等复杂的电路。产品通过大量的晶圆制造工厂（FAB）的移动，每批由几个晶片（前提情况下，充足的晶片最多为24片）。由于对客户订单生产的方向不确定，也有大量比典型晶片具有较少的晶圆CAL很多的地段（高达25％）。在这种复杂的情况下，该系统的分析由于半导体晶圆制造设施折返流程，这些递归流量是对于多层结构的晶片（在我们的在15和25层之间的情况下是典型的产品）。例如：公司的另一个困难的来源是怎样永久改变技术和产品品品种。我们参考的专著（阿瑟顿和福勒）和审查文件（Uzsoy和Schömig和福勒等）来更加详细的描述从生产控制的角度来看半导体亲生产程的特性。
在这个例子中黄光区是有问题的区域。该地区的问题，主要是每个特定的光通过电路由k次光刻区（上文所述的层）所造成的现象。在这里，我们假设相关技术需要一个芯片组成的k来决定ERS。此外，由于使用新的步进电机，造成了一些细微的影响下，这是不可能使用的经验生产控制部门的成员。主要是改变产品结构，导致所描述的系统的特性，采用静态模型只有tially才有可能。为了解决问题的照片光刻区域的晶圆，决定建立一个模拟特征研模式，即允许一个精确的描述动态的基本生产过程，在该工作的过程中，这样便于收集和分析数据和验证，这种仿真模型的验证对于我们工作的成功是非常重要的。
本文的内容如下：在接下来的部分我们将详细的描述晶圆黄光区，关于考虑制订的问题，在第二章的细节中在第二章中论文网，我们解释了开发的仿真模型，而我们利用仿真模型的模拟结果在下文中会研究的。
二、光刻问题
在光刻领域中，电路的结构是从在掩模上的图案对应于晶片。该步骤和重复曝光工序的设备被称为步每。在光刻领域中，首先是一个单一的晶片涂有光敏聚合物的薄膜，然后紫外线用于晶片暴露，这样做是利用投影的光通过掩模，为了这个目的，一单晶圆是第一次调整；然后曝光确定步骤发生，一个单一的曝光步骤是必需的在晶片上的每个图像（组电路）。对齐后，每个单曝光步骤，确定步骤从一个单一的电路的结构被映射到晶片上的掩模。紫外线灯是负责改变光敏感的分子结构的聚合物。一个单一的特定的晶片在暴露后，该聚合物被删除未曝光的区域的晶片。开发MENT接下来的步骤是手动控制步骤的晶圆。最后，如果这晶片通过成功地控制在一个栅格电极，另一个控制步骤电子显微镜发生。
我们发现以下典型的限制步进电机。为了减少掩模的变化通过连续过程造成的一个单一的步进。
很多不同的产品和层列车形成的。一列火车被定义为一组很多同样的产品和同样的掩膜层PROC-上的相同的步骤，以连续的方式一步步完成。