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2005 年，Kenjiro Ni Shikawa 使用 InP HEMT 工艺设计了一个输出频率为54GHz~70GHz 的而倍频器，变频增益为 0dB，基波抑制大于 22dB。
2009 年，Yu-Ann Lai 等人采用 0.15um PHEMT 技术设计实现的平衡二倍频器，输出频率为 23GHz~26GHz，输入功率为 10dBm，变频损耗为-7.4dB~-9.3dB，基本抑制度大于 24dBc，芯片面积为 0.935mm。
高增益、高功率、高线性、高效率、高可靠性，低电压、低功耗和低成本的技术已经成为当今 MMIC 技术的发展趋势。MMIC 工艺已经开始向深亚微米，器件工作频率向毫米波或更高频率方向发展，器件小型化，系统集成化，各种新器件、新的代工厂（Foundry）加工工艺、系统集成、MMIC 电路 CAD 技术等开始向商用转移。