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H.wang，W.Lam等人设计了一种AlGaAs/InGaAs/GaAs为衬底的基于PHEMT技术的W频段前置放大检波器单片[12]。这种单片由一只肖特基势垒二极管和两级W频段的低噪声放大器组成。在中心频率为 94GHz时，其电压灵敏度为300V/mW，切线灵敏度为-62dBm。
Juan Luglio和T.KolyuIshii提出一种FET微波检波器[13]，电路形式如图1-4所示，应用于中心频率为8GHZ的微波信号。其输出视频信号功率与二极管吸收的功率比值是135%。检波器测试结果显示对低的微波信号功率比二极管更加有效，但是是以提供直流偏置为代价。
图1-4 FET微波检波器电路
Dennis L，Rogers 等人，其IMSM(互相交叉式金属-半导体-金属)检波器[14]制作在晶格不匹配的半绝缘GaAs基片上，GaAs 基片由两层具有不同铟浓度的GaInAs 构成，由于铟浓度不一样，其就通过不相称的交界面来调节不匹配的晶格。在偏置电压7V，50ps的光脉冲信号经检波输出 FWHM（半峰值全宽度）脉冲信号上升时间是160ps。
Pawel Rulikows，Kiratislav Sokol和John Barrett发表了基于触发器集成电路的UWB新检波方法[15]，在脉冲信号脉宽335ps、上升和下降时间(10~90%)180ps，峰值功率 2.9dBm和5.9dBm，脉冲周期 10MHz 和 20MHz 下进行了测试，从测试结果看出检波出的最小脉冲幅度大约为 230mV，具体输出的脉冲信号上升时间文章中没给出。但读者可以从测试一些结果看出输出脉冲上升时间达到了 ns 级，结果并不理想。
在国内研究领域内，田永源设计了一种双脊波导检波器[16]，他采用标准双脊波导和WJ33检波管，其频率范围覆盖18GHz~40GHz，电压灵敏度为2000mV/mW，切线灵敏度为-79±2dBm，ldB压缩点最小输入功率为-20dBm。
邓建华，甘体国等人设计了一种高性能K波段宽带检波器[l7]。其检波器采用E面集成电路形式，通过对极鳍线实现波导到微带过渡，采用高频电磁场仿真软件及微波电路CAD软件实现电路设计，经测试该检波器频率覆盖18GHz-26.5GHz，电压灵敏度为1000mV/mW，切线灵敏度小于-50dBm。
胡皓全，宋伟，刘侨设计了Ka波段微带检波器[18][19]。介绍了一种中心频率为 35 GHz，带宽为± 2 GHz 的混合集成检波器设计方法及测试结果。检波器输入端口为标准矩形波导，通过对极鳍线实现波导到微带的过渡。该检波器灵敏度高，2GHz的带宽内频率响应平坦。
王家璋和冯正和提出一种新型3mm非调谐宽带检波器[20]，其结构由波导-微带转化接头[21]，带有低通滤波器的微带腔，短路活塞，检波管和检波电压输出头构成。最大优点就是结构简单，加工容易，调试和使用都很方便。
张治平提出了一种宽带微波检波器[22]，检波器输入匹配网络采用“T”型匹配网络，用混和集成电路制作在4mm×12mm×0.3mm三氧化二铝陶瓷基片上，该检波器制作电气性能已达到国外同类产品的先进水平。
景洪，曹卫平等基于微带混合电路技术，设计了一种高速、宽灵敏度动态范围的检波器的研制