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二文材料MoS2与同为二文材料的石墨烯相比有所不同：二硫化钼有着1.8eV的能带隙，但石墨烯根本不存在能带隙。这就意着二硫化钼在纳米晶体管方面可能有着很广阔的应用前景。不仅如此，单层二硫化钼晶体管的电子迁移率最高甚至可以达到约500cm2V-1s-1，电流开关率能达到1*108.30436
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J.B.Radisabvl采用厚度仅有0.65nm的、单层的二文导体材料MOS2作为导电沟道，同时以HfO2为栅介质首次研制成功了MoS2FET.其室温下的电流开关比也达到了1*108.MoS2的迁移率大约是200cm2V-1s-1.这与硅薄膜，甚至是石墨烯的纳米带相比也不逊色。理论上而言，二硫化钼可以用于制做有着电子或者光电子功能的芯片，就二硫化钼具有与石墨烯本征零带隙截然不同的1.8eV的本征直接带隙，刚好介于砷化镓（本征直接带隙为1.4eV)和宽带隙半导体氮化镓（本征直接带隙为3.4eV）之间这一点。[7]但在如何实现大面积或大批量的二文半导体材料二硫化钼的制备以及将MoS2这种化合物半导体材料与传统微电子融合还有待努力。论文网
单层石墨烯、双层石墨烯以及少层石墨烯都被称为石墨烯，是目前人类已知的最薄、最坚硬的纳米材料。石墨烯几乎接近完全透明，而且对光的吸收率仅有2.3%；导热系数高达5300W/m•K,比碳纳米管和金刚石还要高；常温下的电子迁移率超过15000cm2V-1s-1，同样比纳米碳管和硅晶体要高；电阻率仅有10-8Ω•m，这比铜和银更低，石墨烯是世界上已知的电阻率最小的纳米材料。石墨烯在单原子厚、碳碳之间sp2杂化形成σ键和π键，同时形成了超高的表面积比。
Meyer等人把石墨烯放置在三文空间（置于微型支架或者Si02衬底上），利用透射电子显微镜进行观察并且加入数值模拟，结果表明石墨烯并不是完全平整的，面外有着起伏褶皱。[8]Fasolino等人运用蒙特卡罗模拟方法发现了热涨落使石墨烯本能的存在着大约8nm的波纹状褶皱这一关于石墨烯的平整度问题。[9]Shenoy等人利用有限元分析和院子模拟，发现石墨烯的边界均会产生压应力，边界压力的存在使石墨烯薄膜边界产生了翘曲现象[10]。Gass等运用扫描投射电镜观察了无支撑石墨烯的原子晶格，同时进行了数值分析，发现无支撑石墨烯的边界会重组产生卷曲现象，形成了直径最小的纳米管。
这石墨烯晶体的独特性主要是由于其非常特殊的能带结构：围绕费米能级附近，在一个单点接触的P和P*波段呈现线性色散。源自这个丰富的电子结构使得石墨烯在物理学和化学的应用范围内都非常地有吸引力。此外，大的表面积，优越的化学耐受性，在外界环境条件下的高稳定性和良好的导电性，表明石墨烯有望成为改进电化学和电催化性能的金属氧化物和硫化物的基质。
最近在许多复合系统中已经观察到有趣的物理现象，如复合Ni（ OH )2 /石墨烯，复合 SnO2/石墨烯等等。特别的是，复合MoS2/石墨烯复合系统不仅引起了广泛的实验关注而且在合成实验中取得成功。[11-14]Chang等人[11]首次报道原位液相还原法在石墨上生长MoS2层来形成的复合MoS2/石墨烯。他们的实验结果表明，生长在石墨烯表面的MoS2增加了其电子电导率和电化学反应。几乎在同一时间，Dai等人[12]声称，首先合成的复合MoS2/石墨烯在析氢反应中表现出显著高的电催化活性，同时有着低电位和小Tafel斜率。另外，Coleman等人[13]声明溶剂剥离法更容易产生复合MoS2/石墨烯。他们的试验结果表明，石墨烯的加入显著增加了对热电研究非常重要的Seebeck系数。此外，近期Chang等人[14]开发了一个简单的合成复合MoS2/石墨烯的L-cysteine-assisted相解法工艺。结果表明，如果将得到的复合MoS2/石墨烯作为锂离子电池负极材料，将使Li离子电池具有更优良的电化学性能。