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2．计算。这种方法利用已有电磁场的基本理论分析晶体管内部的电磁场分布，加上已知的微波晶体管的材料参数和几何尺寸来直接计算晶体管等效模型中各元件值，这种方法必须准确的知道半导体材料的几何尺寸，掺杂浓度，洁净度等参数，可以获得比较准确的模型参数，但是对于普通的研究人员来说有很大难度。
3．计算机模拟。计算机模拟法主要是利用已知的晶体管的 S 参数和晶体管的电路模型，来提取模型中各参数的值，实际的过程类似于解方程组。这种方法对参数提取的算法要求较高，算法的好坏直接关系最终结果的优劣。目前比较常用的算法有遗传算法，退火算法，模拟退火算法，单纯形法。但这种方法不能获得唯一解，也就是说，最后获得的是一个最优的解集。国内的研究大部分研究都是采用这种方法，研究重点也放在了参数提取的各种算法上。
一般来说，一个器件的小信号建模一般包括如下几个步骤[16]：
1. 根据器件的物理结构和工艺寻找合适的模型。
2. 根据小信号模型，确定模型中各参数的提取方法。
3. 根据提取参数的方法，对器件在不同偏置状态下进行测试，得到相关数据。
4. 根据测试的数据，及提取方法提取模型中各参数的值。