菜单
　　

    直流溅射和直流磁控溅射镀膜装置总是需要在溅射靶上加一负电压，因而只能溅射良导体，而不能制备绝缘膜。为了在基片上成绩沉积绝缘薄膜，导致射频溅射技术的发明。

    射频溅射的工作原理：在特定氩气压强下，通过施加射频功率，使得初始氩气发生电离。在交变电场作用下，Ar正离子和电子轮流飞向靶材，由于Ar正离子迁移率远小于电子，达到平衡状态后，靶材将处于负电势。Ar正离子又在新电场作用下快速飞向低电势的靶材极，高能量的Ar正离子轰击靶材，靶材原子或分子被溅射至基片上而沉积成膜。由于正交磁场的的束缚，电子在飞向基片（或腔壁）过程中运动路径大大延长，显著地增加了电子与氩气碰撞并使其离化的几率，同时产生大量二次电子，形成氩气自持辉光放电[15]。

    2.2实验装置与材料  

        实验所用仪器为MS550多功能镀膜系统，外形如图2.1所示：

    真空镀膜仪  

     图2.1真空镀膜仪

    该设备主要包括8L/s抽速机械泵，2400L/s抽速FD-IIB分子泵,控制电源，Si-RF500射频源，Si-DC500c多功能直流源，PH-LW52-BHP激光冷水机，真空室，另外还用到的仪器有KW-4A型匀胶机，紫外深度光刻机，离子束清洗源。

        实验用的靶材由江西科泰新材料有限公司提供，包括76×2mm（直径76mm,厚2mm）金属Al靶材，纯度为99.999%；76×5mm金属Ti靶材，纯度为99.7%；74×5mmCoO靶材，加1mmAl环，纯度为99.9%。  源:自~751·论`文'网·www.751com.cn/

    2.3薄膜制备相关数据计算

        本次实验镀膜为3个调制周期（一层Al膜，一层CoO膜为一个调制周期），共2.5μm。

    Al与CoO反应方程式：  2Al+3CoO=Al2O3+3Co   Q=824.7cal/g

        计算所用相关参数如表2.1所示。

                          表2.1 计算相关参数

    物质 摩尔质量/g·mol-1 密度/g·cm-3 镀膜速率nm·min-1

    Al 27 2.7        65

    CoO 75 6.45        12

        经过计算得到薄膜制备每个调制周期的镀膜高度，时间如表2.2所示。

     表2.2 单个调制周期镀膜参数

    膜材料 镀膜厚度/nm 镀膜时间/s

    Al 310 286

    CoO 540 2700

    Ti —— 20-30

    2.4 Al/CoO复合膜制备工艺流程

    本次实验在玻璃基片上制备Al/CoO薄膜，为了减少实验周期，把基片分为两部分，一部分直接镀Al/CoO薄膜，用来做扫描电子显微镜（SEM）、X-射线衍射分析（XRD），同时分别计算Al膜和CoO薄膜的沉积速率；另一部分先在基片上涂上光刻胶，使得薄膜易于剥离，用来做差式扫描量热法（DSC)分析。

    Al/CoO复合膜制备工艺流程主要包括基片清洗、涂胶、真空溅射镀膜三部分[16]。

    （1）基片清洗 

    实验开始前要对基片进行预处理，基片在存放加工时会有很多污染物吸附在上面，这些杂物会影响薄膜的平整度，纯度，溅射速率等，甚至导致无法沉积镀膜。清洗步骤如下：

  1. 上一篇：B类火焰作用下HFC-236灭火剂的热分解规律的研究
  2. 下一篇：功能化石墨烯自组装体系的构建及传感性能研究

  1. MoS2-Ni复合电镀工艺研究

  2. 恒流激励下Al/CuO复合半导体桥安全性能的研究

  3. 基于Al/Ni纳米复合薄膜热源...

  4. SEM扫描电镜激光驱动复合飞片的换能规律研究

  5. 电泳沉积法制备Al/CuO复合物及表征

  6. 水热法制备氮掺杂石墨烯-片状Co(OH)2复合材料

  7. 溶剂热法制备氮掺杂石墨烯-Cu纳米复合材料

  8. java+mysql车辆管理系统的设计+源代码

  9. 河岸冲刷和泥沙淤积的监测国内外研究现状

  10. 酸性水汽提装置总汽提塔设计+CAD图纸

  11. 中考体育项目与体育教学合理结合的研究

  12. 杂拟谷盗体内共生菌沃尔...

  13. 十二层带中心支撑钢结构...

  14. 电站锅炉暖风器设计任务书

  15. 大众媒体对公共政策制定的影响

  16. 当代大学生慈善意识研究+文献综述

  17. 乳业同业并购式全产业链...

　　

About

751论文网手机版...

主页：http://www.751com.cn

关闭返回