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此外，根据上述说的磁学性质，CuGaS2也能用于磁性半导体。
1.4 制备方法
电沉积法，固态反应法，化学气相法，硅外延生长法，溶剂热和水热法等是目前作为制备CuGaS2的主要方法。
1.4.1 电沉积法
电沉积法[10]的基本过程一般如下：金属离子最先先从溶液向电极界面传输，在界面层内，金属离子发生了化学反应,其中产生电化学活性品种，电极上会被此电化学活性品种所吸附。因为电化学活性品种的存在，会在电极上传递电荷,发生电化学反应,便会产生相关的金属原子;产生的金属原子扩散进入电极的晶格。
王信春[12]等利用电沉积制备CIGS薄膜及性能研究采用恒电位电沉积法，以乙醇做溶剂，在ITO玻璃（基于硅硼基或钠钙基基片玻璃的基础上，通过溅射、蒸发等相关操作方法，镀上一层氧化铟锡膜加工制作而成）上制备了铜铟镓硒（CIGS）薄膜。pH值在2.0左右时，制备出的CIGS薄膜最为符合标准化学计量比。在沉积电位-1.6 V(vs SCE)时，能够形成黄铜矿结构化合CuIn0.7Ga0.3Se2时，制备CIGS薄膜的温度都在退火后，即退火温度小于450 °C；当薄膜出现颗粒不连续现象时，却是在退火温度高于450 °C时。
一般来说，电沉积法具有较多独特的特点。第一，投资少且拥有较高的生产效率。第二，试样尺寸以及形状不会影响到实验结果，可制成涂层，薄膜或块体材料，而且所得到的密度也较高。第三，此类方法制备的话，适用的纳米晶体材料种类相对较多，形式也比较多样。第四，制备的后期过程不需要用到太多繁复的操作，便可以获得大量结晶产物。第五，操作方法简单，工艺灵活，易于转变及控制。但是这类方法对于实验室而言成本较高而且实验条件较为苛刻，故在此仅作为参考。