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1.2.2 常用的制备方法 （1）干法制备。常用的制备方法有溅射，离子镀，离子注入等。 溅射：将氩离子在电场下加速，从而获得足够的动能，然后使其轰击靶材，当氩离子的能量超过靶极原子的结合能（约为靶极材料的升华热）四倍时，原子被推出晶格位置，成为气相逸出晶体表面的过程叫做溅射。 当用溅射技术沉积镀膜时，溅射源位于靶极，若靶材为单质，则在衬底上生产单质薄膜，若要生成化合物薄膜，则可以在溅射室有意识地引入反应气体，使之与靶材物质发生化学反应而沉积在衬底上。