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如Liu Xiaohui等用传统方法制备Ga掺杂的0.7Bi(GaxFe1+x)O3-O.3BaTiO3 (x=0，0.025，0.05，0.1)陶瓷，观察到铁磁和铁电效应，当Ga增加时，剩余磁化Mr和矫顽磁场Hc减小，而剩余极化Pr先增加后减小。Choudhary等采用固相法制备出(Bi1+xPbx)(Fe1+xZr0.6Ti0.4x) O3 (x=0.15，0.25，O.40，0.50)(BPFZT)纳米陶瓷复合体，其介电常数和介电损耗随着频率和温度的升高而降低，同时表明随着PZT含量的增加，漏电流和介电损耗减小。
朱金龙、靳常青等研究了多铁性材料Bi (Fe1/2Cr1/2) O3，该发明采用金属氧化物同相混合方法、高温高压法合成单相的反铁磁和铁电共存的多铁性材料；
由上多铁性材料多为3元或者3元以上的化合物，具有多铁性的氧化物的有20世纪60年代见诸于报道的Cr2O3，Ti2O3；而最近T.KIMURA 等在大约8atm纯氧分压下，采用浮区技术(float— ing zone technique)，制备出单晶的CuO晶体，室温下X—ray测量表明为单斜结构(a=0.468 nm，b=0.342 nm，c=0.129 nm，β=99.54°)，是一种较好的高温多铁磁电材料，已引起人们广泛的关注。
3.1单相多铁性材料存在的问题
尽管单相多铁性材料具有一系列优越性能，但其还是存在一些问题制约着它的实际应用。
一，从导电性来看，多铁性材料要实现铁电和铁磁的共存，材料必须为绝缘体，而一般的铁磁体都具有导电性。例如纯BiFeO3陶瓷由于Fe3+易变价而形成氧空位导致材料的绝缘性低，其性能方面存在一些缺陷如材料中漏电流大、易击穿而难以得到饱和极化强度。近年来一些研究者通过不同方法得到了BiFeO3材料的饱和电滞回线。Wang Y P等采用快速液相烧结法获得纯相BiFeO3陶瓷，并测得室温下饱和电滞回线。他们认为烧结过程中产生的液相BiFeO3能促进烧结并可能抑制了杂相的生成。针对漏导电流大的问题，目前最普遍的方法就是将块状多铁性材料制成薄膜。经研究将BiFeO3制成薄膜后漏导电流得到了降低，然而材料的磁电效应却也随之降低。
二，多数多铁性材料转变温度在室温以下，很难应用。很少有像BiFeO3材料一样，在室温条件下同时具有铁电性与弱铁磁性的铁电磁体。BiMnO3块体材料虽然同时存在铁电和铁磁性，但其铁电相变温度TE为750K，铁磁相变温度TC为105K，顺磁居里温度为130K。
三，一些材料中同时存在铁电性和磁性，它们之间也不一定具有强的磁电耦合性。因为它们两者之间是相互独立互不干扰的。如Bi系多铁材料中的BiMnO3为铁磁和铁电共存，但是其介电特性几乎不随外加磁场而改变。
四，纯净的单相多铁性材料很难制。邱忠诚等采用水热法合成BiFeO3粉体，在较宽的实验条件下获得单相BiFeO3粉体，并且实现了形貌可控。