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摘要在SiC肖特基二极管研究多基于SiC外延片制备器件的主流下，本次实验首次直接采用无外延层的SiC单晶衬底制备欧姆接触和肖特基接触，省去了外延生长低掺杂SiC外延层的步骤，有利于节约生产成本缩短流片周期。结果表明，从I-V特性可以看出形成了良好的欧姆接触，比接触电阻阻值在10×10-3 (Ω•cm2)量级。在相同的衬底上制作肖特基二极管，得到良好的正向I-V特性。由于无外延层的原因，高掺杂的SiC衬底与Ni形成的接触耗尽层宽度窄，反向阻断电压较低。24461
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关键词 碳化硅 欧姆接触 肖特基二极管
毕业设计说明书（毕业论文）外文摘要
Title Research of SiC Schottky Barrier Diode
Abstract
Under the mainstream of multi SiC Schottky diode mainly based on SiC wafer fabrication of the device，this experiment adopts direct ly non-epitaxial SiC single crystal substrate layer to product an ohmic contact and the Schottky contact for the first time,eliminating the step of epitaxial growth low-doped SiC epitaxial layer,conducive to save production cost and shorten tapeout cycle. The results show that it can be seen a good ohmic contact from the I-V characteristics ,and specific contact resistance value is at 10 × 10-3 (Ω • cm2) magnitude.To produce schottky diode on the same substrate can obtain good characteristics of the forward I-V. The forming contact depletion layers of high doping SiC substrate and Ni are narrow and its reverse blocking voltage is low because there is no epitaxial layer
Keyword SiC Ohmic contact SBD
目 次
1 绪论 1
1.1 SiC功率器件研究的背景与意义 1
1.2 SiC材料以及SBD（JBS）的特点与优势 2
1.3 碳化硅肖特基二极管的主要研究热点 3
1.3.1 碳化硅单晶的制备方法 3
1.3.2 金属的选择以及欧姆接触 4
1.3.3 肖特基的结终端技术 4
1.4 国内外发展状况 5
1.5 本文研究的主要内容 6
2 实验材料与方法 7
2.1 SiC单晶片的清洗工艺 7
2.2 单面无外延层欧姆接触 7
2.3 无外延层SiC肖特基二极管的制备 7
3 实验结果与分析 7
3.1 单面欧姆接触实验结果与分析 7
3.1.1 理论公式 7
3.1.2 单面欧姆接触拟合结果 7
3.1.3 单面欧姆接触结果分析 7
3.2 肖特基二极管的实验结果与分析 7
3.2.1 正反向I-V特性测试 7
3.2.2 优化测试参数下的I-V特性 7
3.2.3 反向阻断性能不够的原因分析 7
3.3 本章小结 7
4 结论 7
致 谢 7
参考文献7
1 绪论
1.1 SiC功率器件研究的背景与意义
半导体的发现实际可以追溯到很久以前，早在19世纪30年代英国科学科学家巴拉迪发现了硫化银的电阻随温度的变化不同于一般的金属，金属电阻通常是随温度升高而增加，而硫化银电阻随温度变化恰恰相反，这是半导体的首次发现。不久，英国、法国以及德国等国家的科学家也发现了具有半导体特征的物质，它们有的是单晶体如硒，有的是化合物、氧化物如氧化铜等。但是半导体从发现到被认可以及得到实际应用经过了很长一段时间，究其原因，主要是当时材料不纯，同时也没有先进的制造工艺和设备。