菜单
　　
    摘要伴随着移动智能产品的兴起，移动信息存储技术逐渐成为信息技术重要的研究领域之一。阻变随机存储器，因其简单的器件结构，相对低廉的成本以及优异的性能，正是代替硅闪存的热门候选者之一。本文通过将硫化物半导体材料制备成具有阻变特性的二文薄膜器件，并研究其阻变性能。
    本毕业论文通过一步法制备 Ag2S纳米晶。扫描电镜等多种表征方法证明所制得的纳米晶为结晶性及单分散性良好的 Ag2S 纳米晶，粒径分布在 10nm 左右。而后本文利用旋涂的方法制作 Ag2S 纳米晶薄膜器件并测试其电学性能。I-V 测试结果表明所制得的阻变器件具有很高的高低阻值比，高达 200 倍。同时，该器件具有较低的操作电压，良好的循坏稳定性和数据保留性，具有很大的应用前景。最后尝试提出其阻变机理，为进一步提高器件的性能提供更多的理论依据。 20876
    关键词  阻变存储器 硫化银纳米晶 阻变机理 单分散 忆阻效应 
    Title  Two-dimensional semiconductor of sulfide-based Resistive
    Memories
    Abstract
    With the rise of mobile intelligent products, mobile information storage
    technology is becoming one of the important research fields of information
    technology.  On account of the simple structure,low cost and excellent
    performance of resistive random access memory(RRAM),it has become the popular
    candidate to displace Si-based flash memory.This paper  prepared  two
    -dimensional film devices which have resistive switching effect by using
    sufide semiconductor,and we studied its switching performance. 
    The papper prepared  Ag2S  nanocrystal by one-step method.  Varieties  of
    characterization methods,such as scanning electron microscope,have proved the
    sample’s great crystalline and  monodisperse  ,which has an average grain size
    of 10nm.Then we fabricate nanocrystalline Ag2S thin-film device by using 
    spin-coating and test the electrical properties.The result of I-V test shows
    that the radio of HRS to LRS of prepared resistive device is as high as
    200.Simultaneusly ,this device shows a  great application prospect  because of
    its low operating voltage  ,great stability  and data  retention
    characteristics.In the end,  we  try to propose the resistive switching
    mechanism  in order to provide more  theoretical basis  to further improve 
    performance of the devive.
    Keywords      resistive random access memory(RRAM);  Ag2S nanocrystals;  
    resistive mechanism; monodisperse; resistance effect                                
     目  次
    1 绪论   1
    1.1  引言   1
    1.2  阻变存储器概述   2
    1.2.1 阻变存储层的材料   3
    1.2.2 现有阻变主要机理模型   5
    1.3  本论文研究意义及内容   6
    1.3.1 本研究意义   6
    1.3.2 论文研究内容   7
    2 实验制备方法与原理性   8
    2.1  材料制备与表征方法   8
    2.1.1 阻变层薄膜材料的制备   8
    2.1.2 材料表征方法   9
    2.2  器件组装   10
    2.2.1 衬底的清洗   10
    2.2.2 阻变层的制备   10
    2.2.3 蒸镀电极   10
    2.3  本章小结  11
    3 单分散 Ag2S 纳米晶的制备与表征    12
    3.1 单分散Ag2S 纳米晶实验合成  .  12
    3.2  测试与表征   13
  1. 上一篇：具有植物叶片构造的ZnO超疏水陶瓷的制备及性能研究
  2. 下一篇：铁尾矿制轻质陶粒工艺研究+文献综述

  1. 硫化物二维半导体阻变存储器设计

  2. 多元金属/非金属掺杂的半...

  3. ZnO@CeO2和ZnO@La-CeO2核壳结构...

  4. 二维材料异质结发光二极管的制备及性能调控

  5. 新型二维晶体材料量子点的制备

  6. 宽带隙半导体纳米晶的制备及光电性能

  7. 通过晶格严重畸变和电畴...

  8. 中考体育项目与体育教学合理结合的研究

  9. java+mysql车辆管理系统的设计+源代码

  10. 大众媒体对公共政策制定的影响

  11. 河岸冲刷和泥沙淤积的监测国内外研究现状

  12. 杂拟谷盗体内共生菌沃尔...

  13. 当代大学生慈善意识研究+文献综述

  14. 十二层带中心支撑钢结构...

  15. 电站锅炉暖风器设计任务书

  16. 酸性水汽提装置总汽提塔设计+CAD图纸

  17. 乳业同业并购式全产业链...

　　

About

751论文网手机版...

主页：http://www.751com.cn

关闭返回